EPC1001详细
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
EPC1001参数
包装:带卷 (TR),系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:25A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 5mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 50V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:模具剖面（11 焊条）,供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）
